隨著移動計算和AI技術(shù)對數(shù)據(jù)存儲需求的增加，德明利憑借在閃存技術(shù)及模組自主研發(fā)領(lǐng)域的深厚積淀，成功打造出國內(nèi)首款搭載4K LDPC糾錯技術(shù)的SD6.0標準TWSC2985系列存儲芯片。該芯片憑借創(chuàng)新設(shè)計與卓越性能，為移動設(shè)備、無人機、安防監(jiān)控、車載記錄等多元場景提供高效、可靠的存儲支持，有力應(yīng)對大數(shù)據(jù)時代復(fù)雜多變的存儲挑戰(zhàn)。
一、數(shù)據(jù)安全升級國內(nèi)首顆支持4K LDPC技術(shù)實現(xiàn)精準糾錯，采用業(yè)界領(lǐng)先的4K LDPC糾錯算法
作為國內(nèi)首個支持4K LDPC糾錯技術(shù)的SD6.0系列存儲芯片，采用業(yè)界領(lǐng)先的UBER 1e-15級別的糾錯算法，在不影響數(shù)據(jù)吞吐量和訪問速度的前提下，對3D TLC、QLC等閃存顆粒存儲數(shù)據(jù)進行精細化、精準化糾錯，顯著提升高密度存儲環(huán)境下的數(shù)據(jù)完整性與準確度。即使在嚴苛環(huán)境中，也能確保無人機影像、監(jiān)控視頻、車載數(shù)據(jù)等關(guān)鍵信息的安全無損存儲。
二、設(shè)備耐久可靠高度定制支持多種IO模式，具備強大的硬件兼容性與靈活性
展現(xiàn)出強大的定制化硬件兼容性與靈活性，支持LTT、CTT、SSTL等多種IO模式，內(nèi)置VREF、ODT功能，并支持RE&DQS差分模式，進一步提升了數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和精確度。
（一）滿足144/176層及200層以上糾錯需求
創(chuàng)新性地采用軟判決和硬判決相結(jié)合的先進方法，不僅確保了對現(xiàn)有復(fù)雜閃存特性的精確駕馭，更為未來3至5年內(nèi)高密度的144/176層乃至更深層次（超過200層）的3D TLC/QLC NAND閃存技術(shù)提供閃存解決方案。這一特性使得該系列芯片能夠在數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用領(lǐng)域，如工業(yè)4.0智能制造和智能交通系統(tǒng)的快速技術(shù)迭代背景下，從容應(yīng)對日益嚴苛的存儲挑戰(zhàn)，保持數(shù)據(jù)完整性與系統(tǒng)可靠性。
（二）支持最新的ONFI 4.0協(xié)議
該系列芯片支持ONFI 4.0接口協(xié)議，且向下兼容SDR、NV_DDR2、NV_DDR3等舊有模式，確保與現(xiàn)有存儲系統(tǒng)的無縫對接，有效降低用戶在設(shè)備升級時的成本負擔(dān)。
三、性能全速升級
高效節(jié)能,I/O速度最高可達200MT/S、-20℃-85℃的耐寬溫
（一）采用multi-voltage低功耗設(shè)計
德明利研發(fā)團隊采用業(yè)界成熟的生產(chǎn)工藝，實現(xiàn)從架構(gòu)設(shè)計、固件算法研發(fā)到芯片版圖設(shè)計的自主可控。該系列芯片主要基于40納米先進制程工藝和 multi-voltage 多電源域的低功耗設(shè)計方法，通過高效的數(shù)據(jù)傳輸架構(gòu)與優(yōu)化的緩存管理，實現(xiàn)最高200MT/S 的I/O速度，并結(jié)合德明利完全自研的“ACCM”Nand Flash管理算法，全面提升性能。
（二）在-20℃至85℃寬溫區(qū)間內(nèi)穩(wěn)定運行
經(jīng)嚴苛的可靠性測試，該系列芯片在-20℃-85℃寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運行，快速處理高清影像、連續(xù)視頻等大數(shù)據(jù)任務(wù)，實現(xiàn)低延遲與高能耗比，為用戶帶來高效和節(jié)能使用體驗。
該系列芯片以4K LDPC糾錯技術(shù)、廣泛硬件兼容性、全速升級的性能特性和寬溫穩(wěn)定性，為移動設(shè)備、無人機航拍、安防監(jiān)控、車載記錄等消費級應(yīng)用場景提供了高效、可靠、持久、節(jié)能的存儲解決方案，不僅樹立了應(yīng)對大數(shù)據(jù)時代復(fù)雜挑戰(zhàn)的新典范，更突顯了德明利在閃存技術(shù)領(lǐng)域的深厚積淀與持續(xù)創(chuàng)新能力，為用戶開啟數(shù)據(jù)存儲的新篇章。
